常熟東星電子材料有限公司是由榮獲江蘇省常熟市海外領(lǐng)軍型創(chuàng)新、創(chuàng)業(yè)人才組成的高科技精英團(tuán)隊牽頭打造的中外合資企業(yè)。公司坐落于我國經(jīng)濟(jì)與科技最為繁榮的長江三角州腹地 — 常熟國家級經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)。主營先進(jìn)陶瓷材料 — 熱解氮化硼（PBN）。該產(chǎn)品包括應(yīng)用于砷化鎵（GaAs）單晶的MBE坩堝、LEC坩堝、VGF坩堝、MOCVD設(shè)備用絕緣隔熱板、合成用舟皿及熱解氮化硼涂層產(chǎn)品等。

公司擁有熱解氮化硼原創(chuàng)性技術(shù)，自主的知識產(chǎn)權(quán)，是集科研、開發(fā)、生產(chǎn)為一體的高科技外向型企業(yè)。除此之外，公司還擁有碳化硅石墨基座涂層、熱解石墨、熱解石墨合金等生產(chǎn)技術(shù)。

公司榮獲2011年度江蘇省創(chuàng)新、創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊獎，即 江蘇省雙創(chuàng)獎 ；以及2010年度，常熟市海內(nèi)外領(lǐng)軍型創(chuàng)新、創(chuàng)業(yè)人才獎(A類)。目前正朝向江蘇省姑蘇人才獎及國家千人計劃大踏步進(jìn)軍。

公司擁有國內(nèi)最現(xiàn)代化生產(chǎn)設(shè)施及設(shè)備；囊括本領(lǐng)域絕大部分國家專利，壟斷國內(nèi)95以上科技論文。也正是這些專利技術(shù)與知識產(chǎn)權(quán)支撐著我國熱解氮化硼設(shè)備與材料的產(chǎn)生、發(fā)展與創(chuàng)新，從而參與國際市場競爭與角逐。公司團(tuán)隊成員聚集海內(nèi)外精英，有老、中、青相結(jié)合的研發(fā)隊伍，團(tuán)隊擁有敬業(yè)四十余年化學(xué)氣相沉積實踐經(jīng)驗的中國熱解氮化硼材料創(chuàng)始人 — 趙鳳鳴研究員，他享有國務(wù)院特殊貢獻(xiàn)津貼，是中國半導(dǎo)體與特種陶瓷材料領(lǐng)域所熟知的國家級科學(xué)家，也是中國熱解石墨材料的早期研制與開拓者。公司也擁有年輕的領(lǐng)軍型創(chuàng)新、創(chuàng)業(yè)人才，擁有十余年化學(xué)氣相沉積實踐經(jīng)驗，有本領(lǐng)域重要的國家專利，填補(bǔ)了國家多項技術(shù)空白。

2006年，現(xiàn)公司團(tuán)隊成員國家級專家趙鳳鳴及海外領(lǐng)軍型人才趙林總經(jīng)理為完成市級科研計劃，創(chuàng)新性的研制生產(chǎn)出國內(nèi)最大，國際領(lǐng)先水平 — LEC法12″熱解氮化硼( PBN )坩堝，填補(bǔ)國內(nèi)空白?？蛻粲么僳釄逶缓铣沙鼍哂惺澜缦冗M(jìn)水平的8″砷化鎵單晶，實現(xiàn)了我國在該領(lǐng)域零的突破，使我國砷化鎵（GaAs）單晶技術(shù)步入世界領(lǐng)先行列，該成果得到了國家領(lǐng)導(dǎo)人溫家寶總理的接見與肯定，為我國21世紀(jì)半導(dǎo)體材料跨入世界領(lǐng)先水平做出杰出貢獻(xiàn)。從而將熱解氮化硼材料的制備技術(shù)推上了國際領(lǐng)先水平。由此，也墊定了本公司成為我國熱解氮化硼材料領(lǐng)域：理論上的權(quán)威、實踐中的領(lǐng)軍人、開拓進(jìn)程中的排頭兵，使我國在熱解氮化硼領(lǐng)域又闖國際前沿。

公司以 誠信、專業(yè)、進(jìn)取、共贏 的經(jīng)營理念迎接國內(nèi)外來客，歡迎新、老用戶的光臨與指導(dǎo)！我們愿為我國兩大單晶（硅單晶與砷化鎵單晶）、三大產(chǎn)業(yè)（光電產(chǎn)業(yè)、微電子產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)）和白光工程的發(fā)展而不懈努力。